أخبار:تقنية صينية لاستبدال السليكون بسلنيد الإنديوم لصنع الرقائق

رقاقة سليكون.

نجح علماء صينيون من جامعتي بكين ورن‌مين بالصين في تطوير طريقة جديدة لإنتاج كميات كبيرة من "شبه الموصل الذهبي" عالي الجودة من سلنيد الإنديوم الثنائي، مما يفتح الطريق أمام تصنيع جيل جديد من الرقائق التي تعمل بشكل أفضل من تكنولوجيا السليكون الحالية. وقد نُشرت الدراسة في مجلة ساينس في 18 يوليو 2025.[1]

تُعدّ الدوائر المتكاملة الركيزة الأساسية لتكنولوجيا المعلومات الحديثة. في السنوات الأخيرة، ومع اقتراب أداء الرقائق القائمة على السليكون تدريجياً من حدوده الفيزيائية، أصبح تطوير مواد أشباه موصلات جديدة عالية الأداء ومنخفضة الطاقة محوراً عالمياً للبحث والتطوير العلمي. يُعرف سلنيد الإنديوم الثنائي بأنه "شبه موصل ذهبي". إلا أن تحضيره عالي الجودة على نطاق واسع ظل بعيد المنال لفترة طويلة، مما أعاق تقدمه نحو تطبيقات متكاملة واسعة النطاق. وبحسب ليو كاي‌هوي، أستاذ في كلية الفيزياء بجامعة بكين، إن التحدي الأساسي يكمن في الحفاظ الدقيق على النسبة الذرية المثالية 1:1 للإنديوم والسلنيوم أثناء الإنتاج.

باستخدام تقنية مبتكرة، سخّن فريق البحث غشاء سلنيد الإنديوم غير المتبلور والإنديوم الصلب في ظروف محكمة الغلق. شكّلت ذرات الإنديوم المتبخرة سطحاً سائلاً غنياً بالإنديوم عند حافة الغشاء، مما أدى تدريجياً إلى تكوين بلورات سلنيد الإنديوم عالية الجودة ذات ترتيب ذري منتظم.[2] وقال ليو إن هذه الطريقة تضمن النسبة الذرية الصحيحة للإنديوم والسلنيوم، وتغلبت على عنق الزجاجة الحرج في انتقال سلنيد الإنديوم من البحث المختبري إلى التطبيقات الهندسية. وقال تشيو تشنگ‌گوانگ، الباحث في كلية الإلكترونيات بجامعة بكين، إن الفريق نجح في إنتاج رقائق سلنيد الإنديوم بقطر 5 سنتيمترات، وصنع مجموعة واسعة النطاق من الترانزستورات عالية الأداء، والتي يمكن استخدامها مباشرة في أجهزة الرقائق المتكاملة. وقال ليو إن هذا الاختراق يفتح طريقاً جديداً لتطوير الجيل التالي من الرقائق عالية الأداء ومنخفضة الطاقة، والتي من المتوقع أن يتم تطبيقها على نطاق واسع في المجالات المتطورة مثل الذكاء الاصطناعي والقيادة الذاتية والأجهزة الذكية في المستقبل.

انظر أيضاً

مرئيات

الصين تحقق أكبر اختراق تكنولوجي منذ عقود. هل يصبح سلنيد الإنديوم الثنائي بديلاً للسليكون في الرقائق الإلكترونية؟

المصادر

  1. ^ "Two-dimensional indium selenide wafers for integrated electronics". مجلة ساينس. 2025-07-18. Retrieved 2025-07-23.
  2. ^ "China Focus: Chinese scientists develop novel method for mass production of high-quality semiconductors". شينخوا. 2025-07-18. Retrieved 2025-07-23.